重磅!制程工艺变天,“纳米数字游戏”里的“猫腻”要被终结了
1、日前，英特尔CEO帕特·基辛格(Pat Gelsinger)重磅宣布公司有史以来最为详细的制程技术路线图，不仅宣布在2024年进入埃米(ngstrom)时代，还宣布了将以更加科学先进的方式度量制程节点。除此之外，与之相关的突破性架构和技术以及未来的规划逐一被披露。
英特尔7nm芯片为何推迟6个月上市?
1、Intel 7nm芯片上市时间再次延期，2021年底成新目标7月24日，英特尔对外宣布，其备受期待的7纳米制程工艺芯片的上市计划遭遇了延误。原定于2021年底发布的下一代芯片，由于技术问题，预计要推迟大约6个月，至少要等到2022年。英特尔CEO鲍勃·斯旺表示，7纳米制程工艺中的缺陷是导致延期的关键因素。
2、英特尔原本计划通过7nm工艺弥补10nm延迟的损失，但这个进程遭遇了长达6个月的延期。这意味着英特尔可能需要更长时间达到期望的产量，首发7nm CPU的推出时间可能会推迟到2023年上半年，甚至更晚。这一延迟不仅影响了产品线，还让英特尔面临台积电5nm产品的竞争压力。
3、nm延期的代价 在7nm计划受阻后，英特尔重新审视其生产路径，原本计划借此弥补10nm延迟的损失，但时间延误使得7nm的生产和部署面临挑战。英特尔的10nm制程问题频发，导致产品线受影响，现在，7nm的延期可能进一步影响其在技术竞争中的地位。外包的可能 英特尔开始考虑将部分生产外包，以应对7nm延迟带来的压力。
4、根据TrendForce集邦咨询的报告，受英特尔7nm良率欠佳影响，新品SapphireRapids大规模量产时程推迟，预计目前SapphireRapids生产良率仅50%-60%，冲击主力产品SapphireRapidsMCC，量产计划从今年第四季度推迟至2023年上半年。
5、月25日，英特尔7nm芯片工艺进度延期这一消息直接推动其股价跳水，当日开盘，瞬间暴跌超15%，创近四个月以来新低。 显然，留给英特尔的时间不多了。随着PC时代浪潮的褪去，它的独角戏或许已经唱到头了。
英特尔2025年制程领先业界的保证是否基于现有技术进展?
英特尔宣布2025年制程技术再次行业领先，技术路线图透露新亮点英特尔近日发布了对未来制程工艺和封装技术的详尽规划，其中亮点频频。他们揭示了创新的RibbonFET晶体管架构以及业界首个PowerVia背面电能传输网络，显示出对先进科技的执着追求。
英特尔宣布2025年制程技术再创新高英特尔近日发布了未来制程和封装技术的详细蓝图，展示了其技术领导力的最新进展。他们揭示了RibbonFET新型晶体管架构和业界首个PowerVia背面电能传输网络，同时揭示了下一代极紫外光刻技术的运用。
英特尔CEO基辛格曾经表示，希望在2025年英特尔能够重返产品领导者的地位，而就在上个月，英特尔在活动上正式透露了2025年目标计划，包括未来5代工艺制程节点线路图，通过彪悍的战略意图超越所有竞争对手，顺带还重新定义命名规则。 如同80486到奔腾，从奔腾到酷睿，每一次英特尔重大改名决策背后，几乎都会带来一段强劲的技术飞跃。
尽管英特尔CEO表示正在加快制程工艺创新，以确保在2025年制程性能领先业界，但就目前来说，高通这类半导体巨头对英特尔在高集成手机芯片制造工艺、极限环境测试等环节的技术、经验积累都抱有怀疑态度。
NCVM不导电镀膜
1、NCVM，又称不连续镀膜技术或非导电镀膜技术，是从普通真空镀膜发展而来的一项高新技术。真空电镀，简称VM，是真空金属化的简称。它是指在真空条件下，利用化学、物理等特定手段，对金属材料进行有机转化，使金属转化为颗粒，沉积或吸附在塑料材料表面，形成薄膜，也就是我们所说的涂层。
2、NCVM又称不连续镀膜技术或不导电电镀技术，是一种起缘普通真空电镀的高新技术。真空电镀，简称VM，是vacuummetalization的缩写。它是指金属材料在真空条件下，运用化学和物理等特定手段进行有机转换，使金属转换成粒子，沉积或吸附在塑胶材料的表面，形成膜，也就是我们所谓的镀膜。
3、NCVM的概述：NCVM又称不连续镀膜技术或不导电电镀技术，是一种起缘普通真空电镀的高新技术。真空电镀，简称VM，是vacuum metallization的缩写。PVD的概述：PVD物又称理气相沉积，指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。
4、NCVM又称不连续镀膜技术或不导电电镀技术，是一种起缘普通真空电镀的高新技术。真空电镀，简称VM，是vacuum metalization的缩写。它是指金属材料在真空条件下，运用化学、物理等特定手段进行有机转换，使金属转换成粒子，沉积或吸附在塑胶材料的表面，形成膜，也就是我们所谓的镀膜。
10代酷睿处理器如何一眼看出10nm和14nm制程区别?
1、nm与14nm制程并存/ 10代酷睿首次采用10nm和14nm双制程，14nm工艺主要侧重于高线程性能，如i5 10210U的6核12线程，提升约16%的SYSmark性能；而10nm Ice Lake则带来更全面的体验，如Gen 11核显，对图形和娱乐性能提升显著。
2、区分10nm和14nm，主要看处理器型号，如Intel Core i3/i5/i7 10XX G1/G4/G7为10nm制程，U结尾如i7 10710U为14nm。G系列代表Gen 11核显和高规格，而U系列则继续使用UHD核显。
3、Comet Lake首发阵容包含8款U系列和Y系列处理器，最高规格的i7处理器提供6核心12线程，比8代酷睿U/Y系列有所提升。与10nm的Ice Lake不同，Comet Lake在14nm制程上优化了性能，增加了Wi-Fi 6 AX201无线网络支持和LPDDR4x等内存规格。Adaptix Dynamic Tuning技术确保了更稳定的性能和功耗管理。
